Προηγμένη ανάλυση FIB & TEM για γκοφρέτες

Προηγμένη ανάλυση FIB & TEM για γκοφρέτες
Λεπτομέρειες:
Οι υπηρεσίες προηγμένης προετοιμασίας δειγμάτων πλακιδίων διεργασίας{0}}σε επίπεδο FIB και ανάλυσης TEM παρέχουν ακριβείς λύσεις προετοιμασίας δειγμάτων και δομικής ανάλυσης για προηγμένα τσιπ διεργασιών εκτελώντας προετοιμασία δειγμάτων FIB σε καθορισμένες τοποθεσίες νανοϋλικών και συνδυάζοντάς το με τεχνολογία ηλεκτρονικής μικροσκοπίας μετάδοσης (TEM).
Αποστολή ερώτησής
Κατεβάσετε
Περιγραφή
Τεχνικές παράμετροι

Περιεχόμενο υπηρεσίας

 

Προηγμένη ανάλυση τσιπ διαδικασίας

 

Πεδίο εξυπηρέτησης

 

Ολοκληρωμένη ανάλυση των μεταλλικών στρωμάτων, στρωμάτων M0, δομών FinFET κ.λπ., τσιπ προηγμένων διεργασιών 7 nm και κάτω που κατασκευάζονται και σχεδιάζονται από εταιρείες κατασκευής και σχεδιασμού τσιπ. Αυτή η ανάλυση χρησιμοποιείται για την επαλήθευση της σταθερότητας προηγμένων τεχνολογιών διεργασιών και βασικών κόμβων διεργασιών και μπορεί επίσης να χρησιμοποιηθεί για ανάλυση ανταγωνιστών και αντίστροφη μηχανική.

 

Υπόβαθρο υπηρεσίας

 

Καθώς οι διαδικασίες κατασκευής ολοκληρωμένων κυκλωμάτων συνεχίζουν να βελτιώνονται, οι αριθμοί που αντιπροσωπεύουν τους βασικούς κόμβους διεργασιών γίνονται όλο και μικρότεροι, όπως από διεργασίες 65nm και 40nm σε διαδικασίες 22nm, 14nm, 7nm, 4nm και 3nm. Οι μικρότεροι αριθμοί κόμβων υποδεικνύουν πιο προηγμένες διαδικασίες, που σημαίνει καλύτερη ενοποίηση διαχείρισης κρυστάλλων, μεγαλύτερες ταχύτητες επεξεργασίας και χαμηλότερη κατανάλωση ενέργειας. Ωστόσο, σημαίνει επίσης αυξημένη πολυπλοκότητα της εσωτερικής δομής του τσιπ, μικρότερες βασικές δομικές διαστάσεις και σταδιακή εξέλιξη προς διαστάσεις νανοκλίμακας που δεν μπορούν να παρατηρηθούν με γενικές τεχνικές μικροσκοπικής απεικόνισης (όπως τα οπτικά μικροσκόπια).

Επειδή τα δείγματα TEM πρέπει να είναι πολύ λεπτά για να διεισδύσουν τα ηλεκτρόνια και να σχηματίσουν μοτίβα περίθλασης, η αποτελεσματική εκτόξευση του FIB επιτρέπει τη λεπτή επεξεργασία των δειγμάτων. Ως εκ τούτου, το FIB χρησιμοποιείται συχνά για τη βελτιστοποίηση της προετοιμασίας εξαιρετικά λεπτών δειγμάτων TEM.

 

Τα Πλεονεκτήματά μας

 

Η GRGTEST Metrology διαθέτει πατενταρισμένες τεχνολογίες, συμπεριλαμβανομένων μεθόδων για την εξάλειψη του φαινομένου κουρτίνας της δέσμης ιόντων FIB, μια νέα μέθοδο δομής πλαισίου για την προετοιμασία δειγμάτων ευαίσθητων στη θερμότητα TEM με χρήση DB FIB, μια μέθοδο λεπτής αραίωσης FIB-για την προετοιμασία εξαιρετικά λεπτών δειγμάτων TEM από εύθραυστα και εύκολα σπασμένα υλικά, ακτινοβολία-ευαίσθητη λεπτή-δομή δειγμάτων γκοφρέτας και μέθοδος προετοιμασίας δειγμάτων TEM με χρήση ανεστραμμένης κοπής FIB. Αυτές οι τεχνολογίες επιτρέπουν εικόνες TEM υψηλής ανάλυσης-χωρίς ζημιά σε δέσμη ηλεκτρονίων, επιτυγχάνοντας ατομικό-μορφολογικό χαρακτηρισμό ανάλυσης και ανάλυση σύνθεσης προηγμένων τσιπ διεργασιών.

 

Μελέτη περίπτωσης

 

Chip FA Analysis - 3D TEM Method

 

product-3200-1800

 

 

Δημοφιλείς Ετικέτες: Προηγμένος πάροχος υπηρεσιών ανάλυσης γκοφρετών προηγμένων ινών & tem για ανάλυση γκοφρέτες

Αποστολή ερώτησής